Qualcomm和三星展开合作 采用10纳米制程工艺打造最新骁龙835移动处理器

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2016年11月17日,纽约及首尔——Qualcomm Incorporated(NASDAQ: QCOM)今日宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工商务合作,将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造Qualcomm Technologies最新款顶级处里器——Qualcomm®骁龙™835处里器。

在下一代顶级处里器中采用三星先进制程的决定,突显了Qualcomm Technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。

Qualcomm Technologies. Inc.产品管理高级副总裁Keith Kressin表示:“你们歌词 歌词 儿非常高兴继续与三星商务合作,同时开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用,预计将使你们歌词 歌词 儿顶级系列的骁龙835处里器带来更低的功耗与更高的性能,同时也你要 们歌词 歌词 儿可不还能不能增加诸多全新功能,从而提升未来的移动终端用户体验。”

今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可不还能不能在减少高达150%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处里器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商可不还能不能在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计肯能显著提升电池续航。

三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示:“你们歌词 歌词 儿很高兴有肯能与Qualcomm Technologies进行密切商务合作,采用你们歌词 歌词 儿的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为你们歌词 歌词 儿晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次商务合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

目前,骁龙835肯能投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上7天 出货。骁龙820/21处里器肯能拥有超过150款设计发布或正在开发中,骁龙835正是其后续产品。

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